360°科技：FinFET - DIGITIMES FinFET稱為鰭式場效電晶體(FinField-effecttransistor；FinFET)是一種新的互補式金氧半導體(CMOS)電晶體，閘長已可小於25奈米，未來預期可以進一步縮小至9奈米，約是人類頭髮寬度的1萬分之1。由於此一半導體技術上的突破，未來晶片設計人員可望能夠將 ...
成大教師資料- - 成功大學系辦網頁 江孟學 職稱 副教授 電話 +886-6-275-7575 ext. 62418 傳真 +886-6-234-5482 電子信箱 mhchiang@mail.ncku.edu.tw 實驗室 奇美樓 95402, 95A06(實驗室) 開授課程 103 學年度第一學期 · 專題討論（一） · 金氧半元件理論
多閘極電晶體- 維基百科，自由的百科全書 - Wikipedia 2.1 平面雙閘極電晶體; 2.2 Flexfet; 2.3 FinFET; 2.4 三閘極電晶體(Tri-gate); 2.5 Gate-all-around (GAA) FETs. 3 簡略模型 .... Intel已經表明在Sandy Bridge之後的 處理器都將基於此3D設計。 Intel是全世界第一 ...
FinFET挑戰與解決之道– 客製 - Cadence Design Systems FinFET 是新型的多重閘道3D 電晶體，實現重大的效能提升並降低功耗，遠勝過既有 的平面. CMOS 元件。在FinFET 中，元件 ...
十年後半導體製程微縮挑戰在於成本而非技術 - 銓路科技股份有限公司 FinFET是一種3D電晶體技術，目前正初步獲得晶片製造商的採用；大廠英特爾(Intel) 則是將其3D電晶體技術稱為「三 ...
CTIMES - 16nm/14nm FinFET：開闢電子技術新疆界:FinFET,16奈米 ... FinFET技術是電子業界的新一代先進技術，是一種新型的多重閘極3D電晶體，提供 更顯著的功耗和效能優勢，遠勝過傳統 ...
16 奈米/14 奈米FinFET 技術：開闢全新的電子技術疆界 2013年3月25日 ... 還有許多關於FinFET 成本和良率的未知變數。 ... 的多重閘極3D 電晶體，提供更顯著 的功耗和效能優.
FinFET 3D Transistor & the Concept Behind It - Microlab Home Page FinFET 3D Transistor & the Concept Behind It. Chenming Hu, August 2011. 1. Chenming Hu. Univ. of Calif. Berkeley http://www.eecs.berkeley.edu/~hu/ ...
